उच्च गुणवत्तेच्या चिप ट्रान्झिस्टरसह TO-252 IPD33CN10NG नवीन आणि मूळ किंमत
उत्पादन गुणधर्म
| TYPE | वर्णन |
| श्रेणी | डिस्क्रिट सेमीकंडक्टर उत्पादने |
| Mfr | इन्फिनॉन टेक्नॉलॉजीज |
| मालिका | OptiMOS™ |
| पॅकेज | टेप आणि रील (TR) कट टेप (CT) Digi-Reel® |
| उत्पादन स्थिती | सक्रिय |
| FET प्रकार | एन-चॅनेल |
| तंत्रज्ञान | MOSFET (मेटल ऑक्साइड) |
| ड्रेन टू सोर्स व्होल्टेज (Vdss) | 100 व्ही |
| वर्तमान - सतत निचरा (Id) @ 25°C | 27A (Tc) |
| ड्राइव्ह व्होल्टेज (कमाल आरडीएस चालू, किमान आरडीएस चालू) | 10V |
| Rds चालू (अधिकतम) @ आयडी, Vgs | 33mOhm @ 27A, 10V |
| Vgs(th) (अधिकतम) @ आयडी | 4V @ 29µA |
| गेट चार्ज (Qg) (कमाल) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
| Vgs (कमाल) | ±20V |
| इनपुट कॅपेसिटन्स (Ciss) (अधिकतम) @ Vds | 1570 pF @ 50 V |
| FET वैशिष्ट्य | - |
| पॉवर डिसिपेशन (कमाल) | 58W (Tc) |
| कार्यशील तापमान | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| माउंटिंग प्रकार | पृष्ठभाग माउंट |
| पुरवठादार डिव्हाइस पॅकेज | PG-TO252-3 |
| पॅकेज / केस | TO-252-3, DPak (2 लीड्स + टॅब), SC-63 |
| मूळ उत्पादन क्रमांक | IPD33CN10 |
उत्पादन माहिती त्रुटीचा अहवाल द्या
तत्सम पहा
दस्तऐवज आणि मीडिया
| संसाधन प्रकार | लिंक |
| डेटाशीट | IPx3xCN10N G |
| इतर संबंधित कागदपत्रे | भाग क्रमांक मार्गदर्शक |
| वैशिष्ट्यीकृत उत्पादन | डेटा प्रोसेसिंग सिस्टम |
| HTML डेटाशीट | IPx3xCN10N G |
| सिम्युलेशन मॉडेल्स | MOSFET OptiMOS™ 100V N-चॅनेल स्पाइस मॉडेल |
पर्यावरण आणि निर्यात वर्गीकरण
| विशेषता | वर्णन |
| RoHS स्थिती | ROHS3 अनुरूप |
| ओलावा संवेदनशीलता पातळी (MSL) | 1 (अमर्यादित) |
| पोहोच स्थिती | RECH अप्रभावित |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
अतिरिक्त संसाधने
| विशेषता | वर्णन |
| इतर नावे | IPD33CN10NGATMA1-ND IPD33CN10NGATMA1CT IPD33CN10NGATMA1TR SP001127812 IPD33CN10NGATMA1DKR |
| मानक पॅकेज | 2,500 |
ट्रान्झिस्टर हे एक अर्धसंवाहक उपकरण आहे जे सामान्यतः ॲम्प्लीफायर किंवा इलेक्ट्रॉनिक नियंत्रित स्विचमध्ये वापरले जाते.ट्रान्झिस्टर हे मूलभूत बिल्डिंग ब्लॉक्स आहेत जे संगणक, मोबाइल फोन आणि इतर सर्व आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक सर्किट्सच्या ऑपरेशनचे नियमन करतात.
त्यांच्या जलद प्रतिसादाची गती आणि उच्च अचूकतेमुळे, ट्रान्झिस्टरचा वापर विविध प्रकारच्या डिजिटल आणि ॲनालॉग फंक्शन्ससाठी केला जाऊ शकतो, ज्यामध्ये ॲम्प्लीफिकेशन, स्विचिंग, व्होल्टेज रेग्युलेटर, सिग्नल मॉड्युलेशन आणि ऑसिलेटर यांचा समावेश आहे.एकात्मिक सर्किटचा भाग म्हणून 100 दशलक्ष किंवा त्याहून अधिक ट्रान्झिस्टर ठेवू शकणाऱ्या ट्रान्झिस्टर स्वतंत्रपणे किंवा अगदी लहान भागात पॅकेज केले जाऊ शकतात.
इलेक्ट्रॉन ट्यूबच्या तुलनेत, ट्रान्झिस्टरचे बरेच फायदे आहेत:
1. घटकाचा वापर नाही
नलिका कितीही चांगली असली तरी कॅथोड अणूंमधील बदल आणि हवेच्या तीव्र गळतीमुळे ती हळूहळू खराब होत जाईल.तांत्रिक कारणास्तव, ट्रान्झिस्टर प्रथम तयार केले तेव्हा समान समस्या होती.साहित्यातील प्रगती आणि अनेक बाबींमध्ये सुधारणांसह, ट्रान्झिस्टर सामान्यत: इलेक्ट्रॉनिक ट्यूबपेक्षा 100 ते 1,000 पट जास्त टिकतात.
2.खूप कमी शक्ती वापरा
हे इलेक्ट्रॉन ट्यूबपैकी फक्त एक दशमांश किंवा दहापट आहे.इलेक्ट्रॉन ट्यूबसारखे मुक्त इलेक्ट्रॉन तयार करण्यासाठी फिलामेंट गरम करण्याची गरज नाही.ट्रान्झिस्टर रेडिओला वर्षातील सहा महिने ऐकण्यासाठी फक्त काही कोरड्या बॅटरी लागतात, जे ट्यूब रेडिओसाठी करणे कठीण आहे.
3. प्रीहीट करण्याची गरज नाही
तुम्ही ते चालू करताच कार्य करा.उदाहरणार्थ, ट्रान्झिस्टर रेडिओ चालू होताच बंद होतो आणि ट्रान्झिस्टर टेलिव्हिजन चालू होताच चित्र सेट करतो.व्हॅक्यूम ट्यूब उपकरणे असे करू शकत नाहीत.बूट केल्यानंतर, आवाज ऐकण्यासाठी थोडा वेळ थांबा, चित्र पहा.स्पष्टपणे, सैन्य, मापन, रेकॉर्डिंग इत्यादींमध्ये, ट्रान्झिस्टर खूप फायदेशीर आहेत.
4. मजबूत आणि विश्वासार्ह
इलेक्ट्रॉन ट्यूबपेक्षा 100 पट अधिक विश्वासार्ह, शॉक प्रतिरोध, कंपन प्रतिरोध, जो इलेक्ट्रॉन ट्यूबशी अतुलनीय आहे.याव्यतिरिक्त, ट्रान्झिस्टरचा आकार इलेक्ट्रॉन ट्यूबच्या आकाराच्या केवळ एक दशांश ते शंभरावा भाग आहे, खूप कमी उष्णता सोडली जाते, लहान, जटिल, विश्वासार्ह सर्किट डिझाइन करण्यासाठी वापरली जाऊ शकते.ट्रान्झिस्टरची निर्मिती प्रक्रिया अचूक असली तरी, प्रक्रिया सोपी आहे, जी घटकांच्या स्थापनेची घनता सुधारण्यास अनुकूल आहे.
